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Theory and applications of field-effect transistors

Por: Cobbold, Richard S [autor] .Tipo de material: TextoTextoEditor: Estados Unidos; John Wiley & Sons, Inc., 1970Descripción: 507 páginas: Ilustraciones; 23 cm.ISBN: 471 16150 0.Tema(s): TRANSISTORES | CIRCUITO DE COMUNICACIÓN | ANÁLISIS DE DATOS  | SEMICONDUCTORES Clasificación CDD:
Contenidos:
1. Introduction -- 2. Fabrication of field-effect transistors -- 3. Static and low-frequency theory of junction-gate field-effect transistors -- 4. Charge-control analysis of junction-gate FET's -- 5. Small-signal, high-frequency properties of junction-gate field-effect transistors -- 6. Properties of metal-oxide-semiconductor junctions -- 7. Static theory of inversion layer MOS transistors -- 8. Charge, capacitance and small-signal properties of MOS transistors -- 9. Noise in field-effect transistors -- 10. Basic circuit properties -- 11. Communication circuits
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Incluye índice: páginas 525-534

1. Introduction -- 2. Fabrication of field-effect transistors -- 3. Static and low-frequency theory of junction-gate field-effect transistors -- 4. Charge-control analysis of junction-gate FET's -- 5. Small-signal, high-frequency properties of junction-gate field-effect transistors -- 6. Properties of metal-oxide-semiconductor junctions -- 7. Static theory of inversion layer MOS transistors -- 8. Charge, capacitance and small-signal properties of MOS transistors -- 9. Noise in field-effect transistors -- 10. Basic circuit properties -- 11. Communication circuits

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